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耗资136亿美元三星全球芯片工厂将在

来源: 作者: 2019-05-14 21:08:25

三星

据The Investor站北京时间4月12道,三星电子将从7月份开始运营位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂。

新设施是全球规模的芯片工厂,占地289万平方米。三星将在该工厂量产第四代3D NAND闪存芯片,该芯片垂直堆叠达到64层。据《首尔经济》报道,三星已要求合作伙伴在5月底之前供应必要的芯片制造设备。

消息称,一开始,新工厂的产量将较为有限,需要几年时间才能全面运转。三星预计将于今年开始在这1芯片制造综合体运营,但是尚未正式宣布具体时间表。

新工厂从2015年开始建造,耗资15.6万亿韩元(约合136亿美元)。平面和垂直NAND闪存芯片的总产能预计将达到每个月45万片晶圆,3D NAND闪存芯片将占据一半以上。

三星目前是全球的NAND闪存芯片制造商。市场研究公司IHS Markit发布的报告显示,三星去年在NAND闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。

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